图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 2N4921-4923 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 500 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 1A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 600mV @ 100mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 30 @ 500mA, 1V |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 频率转换 | 3MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 供应商器件封装 | TO225AA |
| 包装材料 | Bulk |
| 包装 | 3TO-225 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 80 V |
| 集电极最大直流电流 | 1 A |
| 最小直流电流增益 | 40@50mA@1V|30@500mA@1V|10@1A@1V |
| 最大工作频率 | 3(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.6@0.1A@1A V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 30000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Boxed |
| 标准包装 | Bulk |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 3MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 600mV @ 100mA, 1A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| 供应商设备封装 | TO225AA |
| 封装 | Bulk |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 30 @ 500mA, 1V |
| 其他名称 | 2N4923GOS |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Bipolar Power |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 11.04 x 7.74 x 2.66mm |
| 身高 | 11.04mm |
| 长度 | 7.74mm |
| 最大的基射极饱和电压 | 1.3 V |
| 最大集电极基极电压 | 80 V |
| 最大基地发射极电压 | 5 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | TO-225 |
| 宽度 | 2.66mm |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.6 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 40 |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 80 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 3 A |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 1 A |
| 集电极 - 基极电压 | 80 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 80 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率（最大） | 3 MHz |
| 功率耗散 | 30 W |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 40 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 | 3 MHz |
| 删除 | Compliant |
| 集电极电流（DC ） | 1 A |
| 直流电流增益 | 40 |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :80V |
| Transition Frequency ft | :3MHz |
| 功耗 | :30W |
| DC Collector Current | :3A |
| DC Current Gain hFE | :3 |
| Operating Temperature Min | :-65°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-126 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| Collector Emitter Voltage Vces | :600mV |
| 连续集电极电流Ic最大 | :3A |
| Current Ic Continuous a Max | :3A |
| Current Ic hFE | :500mA |
| Device Marking | :2N4923 |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| Gain Bandwidth ft Min | :3MHz |
| Gain Bandwidth ft Typ | :3MHz |
| Hfe Min | :20 |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作温度范围 | :-65°C to +150°C |
| Power Dissipation Ptot Max | :30W |
| Voltage Vcbo | :80V |
| Weight (kg) | 0.00064 |
| Tariff No. | 85412900 |
| Current,Collector | 1A |
| Current,Gain | 10 |
| PackageType | TO-225 |
| 极性 | NPN |
| PowerDissipation | 30W |
| PrimaryType | Si |
| Resistance,Thermal,JunctiontoCase | 4.16°C/W |
| Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter | 80V |
| Voltage,CollectortoBase | 80V |
| Voltage,CollectortoEmitter | 80V |
| Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 0.6V |
| Voltage,EmittertoBase | 5V |
| associated | FK 213 SA-32 MK3311 |
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